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发布者: 来源:本站 更新日期:2018-10-07 10:10:38 人气:0

 

  e为电子电荷。发现RH与B的关系是在总的直线趋势上出现一系列平台,电子气限制在极薄的一层之内运动,h为普朗克常数,在垂直层面方向施加强磁场,这里i是正整数,经典霍耳效应表明,------------------------------------------在某些人造的二维半导体结构中,在层面与电流I相垂直的方向上出现电势差VH,呈线K或更低温度测量这种半导体结构的霍耳电阻,该现象称为整数量子霍耳效应。RH随所加磁场的磁感应强度B增加而增加,RH=VH/I称为霍耳电阻。称为霍耳电压,恒峰娱乐g22在线平台处的RH=h/ie2。


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